Перечень основных возможностей устройства:
∙ Измерение сопротивлений в широком диапазоне;
∙ Измерение ёмкостей конденсаторов в широком диапазоне;
∙ Определение эквивалентного последовательного сопротивления конденсаторов (ESR);
∙ Измерение индуктивностей в широком диапазоне;
∙ Определение основных параметров диодов (прямое падение напряжения, проходная ёмкость);
∙ Определение основных параметров транзисторов любых типов;
∙ Определение цоколевки тиристоров и триаков (симисторов);
∙ Определение назначения выводов всех поддерживаемых полупроводниковых компонентов с числом выводов 2 или 3.
Тестируемые элементы:
∙ Резисторы;
∙ Полярные и неполярные конденсаторы;
∙ Катушки индуктивности;
∙ N-P-N и P-N-P биполярные транзисторы;
∙ MOSFET транзисторы P- и N-канальные;
∙ JFET транзисторы;
∙ Диоды;
∙ Двойные диоды;
∙ Тиристоры;
∙ Симисторы.
Спецификация:
диапазон:
резистор: 0.1 Ω-50МОМ
конденсатор: 25pF-100000uF
индуктивность: 0.01 mH-20 H
рабочая мощность: DV-9В
ток в режиме ожидания: 0.02uA
рабочий ток: 25mA
Комментарии